memória dinâmica de acesso aleatório (DRAM) é um tipo de memória semicondutora que é tipicamente usado para os dados ou o código de programa necessários por um processador de computador para funcionar. DRAM é um tipo comum de memória de acesso aleatório (RAM) que é usado em computadores pessoais (PCs), estações de trabalho e servidores. O acesso aleatório permite que o processador PC acesse qualquer parte da memória diretamente ao invés de ter que proceder sequencialmente a partir de um ponto de partida., A RAM está localizada perto do processador de um computador e permite um acesso mais rápido aos dados do que os meios de armazenamento, tais como discos rígidos e unidades de Estado Sólido.como funciona a DRAM?
memória é feita de bits de dados ou código de programa que são dispostos em uma grade bidimensional. DRAM armazenará bits de dados no que é chamado de armazenamento, ou célula de memória, consistindo de um capacitor e um transistor. As células de armazenamento são tipicamente organizadas em uma configuração retangular. Quando uma carga é enviada através de uma coluna, o transistor na coluna é ativado., Uma célula de armazenamento DRAM é dinâmica, o que significa que ela precisa ser refrescada ou dada uma nova carga eletrônica a cada poucos milisegundos para compensar as fugas de carga do capacitor.
As células de memória irão trabalhar com outros circuitos que podem ser usados para identificar linhas e Colunas, acompanhar o processo de refrescamento, instruir uma célula para aceitar ou não uma carga e ler ou restaurar dados de uma célula.
DRAM é uma opção de memória semicondutora que um projetista de sistema pode usar ao construir um computador., Alternative memory choices include static RAM (SRAM), electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM), NOR flash and NAND flash. Muitos sistemas usam mais de um tipo de memória.
tipos de DRAM
Existem muitos tipos de DRAM que podem ser utilizados num dispositivo. Alguns exemplos incluem o seguinte:
- DRAM síncrono (SDRAM) sincroniza velocidades de memória com velocidades de clock do CPU, deixando o controlador de memória saber o ciclo de clock do CPU. Isto permite que a CPU execute mais instruções de cada vez.,Rambus DRAM (RDRAM) foi mais amplamente utilizado no início da década de 2000 para placas gráficas.
- dupla taxa de dados SDRAM (DDR SDRAM) quase duplica a largura de banda na taxa de dados do SDRAM usando pinning dupla. Este processo permite a transferência de dados nas bordas ascendente e descendente de um sinal de clock. Tem sido Disponível em diferentes iterações ao longo do tempo, incluindo DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM e DDR4 SDRAM.a DRAM em Modo de página rápida (FPM DRAM) proporciona um desempenho mais elevado do que outros tipos de DRAM, focando-se no acesso rápido à página.,
- Extended data out DRAM (Edo DRAM) melhora o tempo de leitura da memória em microprocessadores, como o Intel Pentium.os principais fabricantes de DRAM incluem a Samsung, Rambus, PNY Technologies e a SK Hynix.
tipos de pacotes DRAM
Existem dois tipos principais de embalagens DRAM: módulo de memória única em linha (SIMM) e módulo de memória dupla em linha (DIMM). Uma única embalagem de módulos de memória em linha é considerada obsoleta agora e foi usado nos anos 1980 a 1990. SIMMs veio em 30 e 72 conjuntos de pinos e tipicamente tinha 32 bits de transferência de dados., DIMMs, por outro lado, são comumente usados agora e são de dupla linha — o que significa que eles têm pinos em ambos os lados do chip. Os DIMMS normalmente têm conectores de 168 pinos — ou mais — e suportam uma taxa de transferência de dados de 64 bits.os tipos de pacotes DRAM para DIMMs são definidos como diferentes arquiteturas de circuitos integrados. Alguns destes incluem o seguinte:
- DIMMs não baralhados (UDIMMs) são comumente usados em desktops e laptops. Estes custam menos e correm mais rápido, mas são menos estáveis.
- DIMMs Registered (RDIMMs) are commonly used with servers., Estes são mais estáveis e reduzem a pressão sobre um controlador de memória CPUs.
- DIMMs totalmente tamponados (FB-DIMMs) são usados em sistemas de memória maiores. Estes são mais confiáveis uma vez que eles podem melhorar os métodos de detecção de erros e manter a integridade do sinal.
Vantagens
As principais vantagens da DRAM incluem o seguinte:
- o Seu design é simples, exigindo apenas um transistor.,
- o custo é baixo em comparação com tipos alternativos de memória, como o SRAM.fornece níveis de densidade mais elevados.
- mais dados podem ser armazenados usando DRAM.
- a memória pode ser refrescada e apagada enquanto um programa está em execução.
desvantagens
As principais desvantagens das DRAM incluem o seguinte:
- a memória é volátil.o consumo de energia é elevado em relação a outras opções.o fabrico é complexo.os dados das células de armazenamento têm de ser actualizados.é mais lento que o SRAM.
DRAM vs., SRAM
DRAM é um sucessor do SRAM. Designers de memória reduziram o número de elementos por bit e eliminaram linhas de bit diferencial para salvar a área de chip, a fim de criar DRAM. Como resultado, DRAM é menos caro de produzir do que SRAM.mas o SRAM mantém algumas vantagens sobre as DRAM. O SRAM não precisa de ser actualizado porque funciona com base no princípio de mudar o fluxo de corrente numa das duas direcções, em vez de manter uma carga no local dentro de uma célula de armazenamento. O SRAM é geralmente usado para memória de cache, que pode ser acessado mais rapidamente do que o DRAM.,
SRAM is capable of byte-level reads/writes, and is faster at reads / writes than DRAM. DRAM escreve dados no nível de byte e lê no nível de páginas de múltiplos bytes.as diferenças de potência variam com base no modo activo ou de latência do sistema. DRAM requer menos energia do que SRAM em um estado ativo, mas SRAM consome consideravelmente menos energia do que DRAM quando em Modo de latência.
história
um dos primeiros usos de DRAM foi em uma calculadora Toshiba em 1965 — usando uma forma capacitiva de DRAM que foi feita a partir de células de memória bipolar., Nesse mesmo ano, a IBM criou um chip de memória de silício de 16 bits. No entanto, neste momento, a DRAM bipolar que estava em uso não poderia competir contra a memória do núcleo magnético. Isto permaneceu verdadeiro com DRAM até a invenção se o transistor de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor (MOSFET), que leva à DRAM de metal-óxido-semicondutor — ou MOS DRAM. A patente para MOS DRAM foi concedida em 1968. Em 1969, a Intel desenvolveu DRAM que usou uma célula de três transistores.
Intel melhorou em seu produto Dram com o Intel 1103 em 1970, vendo uso comercial., Nessa época, a memória MOS começou a fazer mais presença no mercado em comparação com a memória de núcleo magnético.
1973 also saw the invention of the Mostek MK4096, a 4 Kb DRAM. Este foi o primeiro DRAM que incorporou linhas multiplexadas linha e colunas de endereço. O Mostek MK4096 poderia caber em pequenos pacotes com uma pequena contagem de pinos, uma vez que reduziu para metade o número de linhas de endereço necessárias.
em 1992, a Samsung desenvolveu SDRAM, que tinha uma capacidade de 16 Mb.
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